株式会社日立パワーデバイス

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Hitachi

株式会社日立パワーデバイス

日立パワーデバイスの高耐圧IGBT・SiC

日立高耐圧IGBTは、1992年に電鉄用途として採用されて以降、車載用途や各種電力変換器など幅広いアプリケーションに対応し、国内外のリーディングカンパニーであるお客様方にご採用いただいております。

これからも、最先端の研究開発でさらに使いやすく、高性能、高品質なデバイスを追求し、発展するエネルギー社会に貢献してまいります。

技術

Trench Trench Gate
Vce(sat)低減
LiPT Low Injection Punch Through
スイッチングロス低減
sLiPt Soft Low Injection Punch Through
低ノイズ、スパイク電圧低減
HiGT High Conductivity IGBT
Vce(sat)低減

形式命名法

日立IGBT/ダイオード形式命名法

ステータスリスト

トピックス

2018年12月10日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。NEW:最新

IRIS認証

  • Certificate-Register-No: YKA4004414/IRIS
  • Certificate valid from: 27/01/2013 LRQA
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