跳到正文

Hitachi

株式会社日立功率半导体

日立社会创新

日立社会创新

推动世界不断变革的社会创新,推动世界变化的催化剂。

新闻中心

2022年5月13日

更新了IGBT/SiC的产品信息。NEW:最新

更新了高压IC的产品信息。NEW:最新

更新了IGBT/SiC的状态列表。NEW:最新

更新了高压IC的状态列表。NEW:最新

更新了二极管的状态列表。NEW:最新

2022年3月1日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了高压IC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2021年12月21日

新闻稿:开发了高度耐用/低损耗的1.7kV FullSiC模块, 与现有产品相比, 可将开关损耗降低约30%。

2021年11月26日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2021年9月29日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2021年7月28日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了高压IC的产品信息。

更新了二极管的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2021年5月28日

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2021年4月26日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了高压IC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2021年3月24日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2021年2月18日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2021年1月26日

新闻稿:具有耐用性和低功耗特性的新型结构SiC功率器件“ TED-MOS”商业化