株式会社日立功率半导体

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Hitachi

株式会社日立功率半导体

2020年

2020年6月26日

更新了高压IC的产品信息。NEW:最新

各种活动信息:发布了PCIM Europe 2020NEW:最新

2020年5月28日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了高压IC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2020年3月24日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了高压IC的产品信息。

更新了二极管的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2019年

2019年11月29日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

更新了企业信息(营业所)

2019年10月30日

更新了IGBT/SiC的应用手册。

更新了浪涌吸收用二极管的产品信息。

2019年10月2日

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2019年9月2日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

2019年7月31日

更新了高压IC的产品信息。

更新了二极管的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2019年7月5日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了高压IC的产品信息。

更新了二极管的产品信息。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2019年5月23日

二极管:公开了新产品MSM35C22/MSM35C22R

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC 的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2019年4月26日

更新了IGBT/SiC的产品信息。

更新了二极管的产品信息。

2019年3月29日

公开了新产品马达驱动用单芯片IC

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2019年3月11日

更新了IGBT/SiC的模板面具数据

技术信息:更新了二极管的仿真模型

2019年1月31日

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

技术信息:更新了二极管的Pspice模型。

2018年

2018年12月17日

公开了新产品3300V 600A 2in1 SiC 模块

公开了新产品3300V 800A 2in1 SiC 模块

公开了新产品1700V 900A 2in1 SiC 模块

公开了新产品6500V 1000A 1in1 IGBT 模块

2018年12月10日

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

2018年10月4日

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

更新了公司概况

2018年9月7日

更新了新产品ZSH5ME27 二极管。

更新了二极管的状态列表。

2018年8月1日

公开了新产品ZSH5ME27 二极管。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

各种活动信息:更新了PCIM Europe 2018

2018年6月4日

公开了新产品700V 800A 6in1 IGBT 模块。

公开了新产品1200V 400A 6in1 IGBT 模块。

更新了IGBT/SiC的状态列表。

2018年5月25日

更新了IGBT/SiC的产品信息

更新了IGBT/SiC的状态列表。

更新了高压IC的状态列表。

更新了二极管的状态列表。

各种活动信息:发布了PCIM Europe 2018

更新了公司概况。

2018年4月27日

更新了高压IC的产品信息

各种活动信息:发布了APEC 2018

发布了公司概况。

2018年4月1日

更新了WEB网站设计及产品信息。

2017年

2017年5月15日

公开了新产品 nHPD2 1.7kV 1000A 2in1 IGBT 模块

公开了新产品 4.5kV 1000A, 1500A 1in1 IGBT 模块

公开了新产品 4.5kV 400A 2in1 Diode 模块

公开了新产品 6.5kV 250A 2in1 Diode 模块

2016年

2016年5月18日

公开了新产品nHPD2 1.7kV 900A 2in1 IGBT 模块

公开了新产品nHPD2 1.7kV 900A 2in1 SiC 模块

公开了新产品nHPD2 3.3kV 450A 2in1 IGBT 模块

公开了新产品nHPD2 3.3kV 450A 2in1 SiC 模块

公开了新产品3300V 1200A 1in1 SiC 模块

公开了新产品3300V 1800A 1in1 SiC 模块

公开了新产品3300V 1800A F版高绝缘封装 1in1 IGBT 模块

公开了新产品3300V 1200A F版高绝缘封装 2in1 Diode 模块

公开了新产品650V 600A 6in1直接冷却IGBT 模块

2016年4月20日

公开了新产品nHPD2 STEP 文件

公开了新产品4500V F版 1500A 1in1 IGBT 模块

1份技术资料追加

2015年

2015年10月9日

公开了新产品1700V F版 1200A chopper IGBT 模块

公开了新产品1700V F版 1600A chopper IGBT 模块

更新了状态列表

1份技术资料追加

2015年5月15日

高压IGBT,新世标准封装 Next High Power Density Dual - nHPD2 更新了相关资料

2015年1月29日

高压IGBT,新世标准封装 Next High Power Density Dual - nHPD2 发表

2013年

2013年10月1日

株式会社日立制作所的功率半导体事业和日立原町电子工业株式会社合并成立了株式会社日立功率半导体。