株式会社日立功率半导体

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Hitachi

株式会社日立功率半导体

日立功率半导体的高耐压IGBT/SiC

日立高压IGBT自1992年电气化铁路车辆应用之后,针对汽车以及各种电源转换器等广泛领域,被日本和海外的领先行业企业所积极采用

今后我们也将以最先进的研究开发,追求更加便于使用,更高性能,高品质的器件,为能源社会的发展做出贡献

技术

Trench undefinedTrench Gate
Vce(sat)减少
LiPT undefinedLow Injection Punch Through
减少开关损耗
sLiPt undefinedSoft Low Injection Punch Through
低噪音,尖峰电压降低
HiGT undefinedHigh Conductivity IGBT
Vce(sat)减少

制品命名方法

日立IGBT/制品命名方法

状态列表

主题

2020年9月24日

更新了产品信息( nHPD2SiC新能源车3300V4500V )。NEW:最新

更新了状态列表。NEW:最新

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