次世代PKGであるnHPD2、EVマーケット向けIGBTを中心とした出展を行いました。多数のご来場誠にありがとうございました。
Conference では(株)日立製作所の研究開発グループから、ゲートを２つに分け、夫々を個別に制御するIGBTで、従来のトレンチゲート構造に対して損失を35%低減した「Dual side-gate HiGT breaking through limitation of IGBT loss reduction」を発表し、Young Engineer Award を受賞しました。
