論文発表：「 A Novel Hybrid Power Module with Dual Side-Gate HiGT and SiC-SBD」
株式会社日立製作所の研究開発グループからデュアルゲート構造IGBTとSiCダイオードを搭載したハイブリッドモジュールで、従来のトレンチ構造IGBTとSiダイオードのモジュールに対して損失を50％低減した事を発表した上記論文は、最優秀論文に贈られる
The Ohmi Best Paper Award を受賞しました。
ISPSD
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
