株式会社日立パワーデバイス

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Hitachi

株式会社日立パワーデバイス

ISPSD 2017

学会・シンポジウム

ISPSD 2017 (5月28日〜6月1日)

論文発表:「 A Novel Hybrid Power Module with Dual Side-Gate HiGT and SiC-SBD」

株式会社日立製作所の研究開発グループからデュアルゲート構造IGBTとSiCダイオードを搭載したハイブリッドモジュールで、従来のトレンチ構造IGBTとSiダイオードのモジュールに対して損失を50%低減した事を発表した上記論文は、最優秀論文に贈られる The Ohmi Best Paper Award を受賞しました。

ISPSD
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs