株式会社日立パワーデバイス

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Hitachi

株式会社日立パワーデバイス

2021年

2021年11月26日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。NEW:最新

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。NEW:最新

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。NEW:最新

ダイオードのステータスリストを更新しました。NEW:最新

採用情報(経験者採用)を更新しました。NEW:最新

2021年9月29日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2021年7月28日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報(経験者採用)を更新しました。

2021年6月30日

採用情報(経験者採用)を更新しました。

2021年5月28日

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2021年4月26日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2021年3月24日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報を更新しました。

2021年2月18日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2021年1月26日

ニュースリリース:耐久性と低消費電力特性を両立した新構造SiCパワーデバイス「TED-MOSR」を製品化

2020年

2020年11月20日

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報を更新しました。

2020年10月21日

健康経営宣言を更新しました。

2020年9月24日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

技術情報の技術文献情報を更新しました。

2020年6月26日

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

イベント情報:PCIM Europe 2020を掲載しました。

2020年5月28日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報を更新しました。

2020年3月24日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報を更新しました。

2019年

2019年11月29日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

企業情報(営業所)を更新しました。

企業情報(営業所/国内販売店)を更新しました。

2019年10月30日

技術情報:IGBT・SiCのアプリケーションノートを追加しました。

サージ吸収用ダイオードの製品情報を更新しました。

健康経営宣言を掲載しました。

採用情報を更新しました。

2019年10月2日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2019年9月2日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

2019年7月31日

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2019年7月5日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報更新しました。

2019年5月23日

ダイオード: 新製品MSM35C22/MSM35C22Rを公開しました。

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2019年5月9日

採用情報更新しました。

2019年4月26日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

環境方針を更新しました。

2019年3月29日

高耐圧IC : モーター駆動用1チップIC(インバータIC)の新製品を公開しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報更新しました。

2019年3月11日

IGBT・SiCのステンシルマスクデータを更新しました。

技術情報:ダイオードのシミュレーションモデルを更新しました。

2019年1月31日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

技術情報:ダイオードのPSpiceモデルを更新しました。

2018年

2018年12月17日

SiC : 新製品 3300V 600A 2in1 SiCモジュールを公開しました。

SiC : 新製品 3300V 800A 2in1 SiCモジュールを公開しました。

SiC : 新製品 1700V 900A 2in1 SiCモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 6500V 1000A 1in1 IGBTモジュールを公開しました。

2018年12月10日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2018年11月21日

採用情報更新しました。

2018年10月4日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

会社案内を更新しました。

2018年9月7日

ダイオード : 新製品ZSH5ME27を更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2018年8月1日

ダイオード : 新製品 ZSH5ME27を公開しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

イベント情報:PCIM Europe 2018を更新しました。

2018年6月4日

IGBT : 新製品 700V 800A 6in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 1200V 400A 6in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

2018年5月25日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

イベント情報:PCIM Europe 2018を掲載しました。

会社案内を更新しました。

2018年4月27日

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

イベント情報:APEC 2018を掲載しました。

会社案内を掲載しました。

2018年度版環境方針を掲載しました。

2018年4月1日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

IGBT : 新製品 nHPD21.7kV 1000A 2in1 G2版IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD21.7kV 1200A 2in1 G2版IGBTモジュールを公開しました。

2018年1月31日

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2018年1月18日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2017年

2017年10月24日

WEBサイトデザインのリニューアルに伴い、製品情報の更新を実施いたしました。

2017年10月1日

セラミック気密端子事業は株式会社MARUWAへ譲渡されました。

2017年5月29日

セラミック気密端子事業の株式会社MARUWAへの譲渡についてお知らせします。

2017年5月15日

IGBT : 新製品 nHPD2 1.7kV 1000A 2in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 4.5kV 1000A, 1500A 1in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 4.5kV 400A 2in1 ダイオードモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 6.5kV 250A 2in1 ダイオードモジュールを公開しました。

2017年4月25日

2017年度版環境方針を掲載しました。

2016年

2016年5月18日

IGBT : 新製品 nHPD2 1.7kV 900A 2in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD2 1.7kV 900A 2in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD2 3.3kV 450A 2in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD2 3.3kV 450A 2in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1200A 1in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1800A 1in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1800A 1in1F版高絶縁パッケージ IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1200A 2in1F版高絶縁パッケージ ダイオードモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 650V 600A 6in1EV用直接水冷IGBTモジュールを公開しました。

2016年4月20日

IGBT : 新製品 nHPD2 STEPファイルを公開しました。

IGBT : 新製品 4500V F版 1500A 1in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 技術資料を1件追加しました。

2015年

2015年10月9日

IGBT : 新製品 1700V F版 1200A チョッパIGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 1700V F版 1600A チョッパIGBTモジュールを公開しました。

IGBT : ステータスリストを更新しました。

IGBT : 技術資料を1件追加しました。

2015年5月15日

高耐圧IGBT用 次世代標準パッケージ、Next High Power Density Dual - nHPD2 の情報を更新しました。

2014年

2014年9月19日

高耐圧IGBT用 次世代標準パッケージ、Next High Power Density Dual - nHPD2 を公開しました。

2014年6月1日

2014年度版環境方針を掲載しました。

2013年

2013年10月1日

2013年10月1日より、株式会社日立製作所のパワー半導体事業と日立原町電子工業株式会社は統合し、新たに株式会社日立パワーデバイスとしてスタートしました。