株式会社日立パワーデバイス

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Hitachi

株式会社日立パワーデバイス

2020年

2020年6月26日

高耐圧ICの製品情報を更新しました。NEW:最新

イベント情報:PCIM Europe 2020を掲載しました。NEW:最新

2020年5月28日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報を更新しました。

2020年3月24日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報を更新しました。

2019年

2019年11月29日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

企業情報(営業所)を更新しました。

企業情報(営業所/国内販売店)を更新しました。

2019年10月30日

技術情報:IGBT・SiCのアプリケーションノートを追加しました。

サージ吸収用ダイオードの製品情報を更新しました。

健康経営宣言を掲載しました。

採用情報を更新しました。

2019年10月2日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2019年9月2日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

2019年7月31日

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2019年7月5日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報更新しました。

2019年5月23日

ダイオード: 新製品MSM35C22/MSM35C22Rを公開しました。

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2019年5月9日

採用情報更新しました。

2019年4月26日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

ダイオードの製品情報を更新しました。

環境方針を更新しました。

2019年3月29日

高耐圧IC : モーター駆動用1チップIC(インバータIC)の新製品を公開しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

採用情報更新しました。

2019年3月11日

IGBT・SiCのステンシルマスクデータを更新しました。

技術情報:ダイオードのシミュレーションモデルを更新しました。

2019年1月31日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

技術情報:ダイオードのPSpiceモデルを更新しました。

2018年

2018年12月17日

SiC : 新製品 3300V 600A 2in1 SiCモジュールを公開しました。

SiC : 新製品 3300V 800A 2in1 SiCモジュールを公開しました。

SiC : 新製品 1700V 900A 2in1 SiCモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 6500V 1000A 1in1 IGBTモジュールを公開しました。

2018年12月10日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2018年11月21日

採用情報更新しました。

2018年10月4日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

会社案内を更新しました。

2018年9月7日

ダイオード : 新製品ZSH5ME27を更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2018年8月1日

ダイオード : 新製品 ZSH5ME27を公開しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

イベント情報:PCIM Europe 2018を更新しました。

2018年6月4日

IGBT : 新製品 700V 800A 6in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 1200V 400A 6in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

2018年5月25日

IGBT・SiCの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

イベント情報:PCIM Europe 2018を掲載しました。

会社案内を更新しました。

2018年4月27日

高耐圧ICの製品情報を更新しました。

イベント情報:APEC 2018を掲載しました。

会社案内を掲載しました。

2018年度版環境方針を掲載しました。

2018年4月1日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

IGBT : 新製品 nHPD21.7kV 1000A 2in1 G2版IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD21.7kV 1200A 2in1 G2版IGBTモジュールを公開しました。

2018年1月31日

ダイオードの製品情報を更新しました。

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2018年1月18日

IGBT・SiCのステータスリストを更新しました。

高耐圧ICのステータスリストを更新しました。

ダイオードのステータスリストを更新しました。

2017年

2017年10月24日

WEBサイトデザインのリニューアルに伴い、製品情報の更新を実施いたしました。

2017年10月1日

セラミック気密端子事業は株式会社MARUWAへ譲渡されました。

2017年5月29日

セラミック気密端子事業の株式会社MARUWAへの譲渡についてお知らせします。詳細はこちら

2017年5月15日

IGBT : 新製品 nHPD2 1.7kV 1000A 2in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 4.5kV 1000A, 1500A 1in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 4.5kV 400A 2in1 ダイオードモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 6.5kV 250A 2in1 ダイオードモジュールを公開しました。

2017年4月25日

2017年度版環境方針を掲載しました。

2016年

2016年5月18日

IGBT : 新製品 nHPD2 1.7kV 900A 2in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD2 1.7kV 900A 2in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD2 3.3kV 450A 2in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD2 3.3kV 450A 2in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1200A 1in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1800A 1in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1800A 1in1F版高絶縁パッケージ IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1200A 2in1F版高絶縁パッケージ ダイオードモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 650V 600A 6in1EV用直接水冷IGBTモジュールを公開しました。

2016年4月20日

IGBT : 新製品 nHPD2 STEPファイルを公開しました。

IGBT : 新製品 4500V F版 1500A 1in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 技術資料を1件追加しました。

2015年

2015年10月9日

IGBT : 新製品 1700V F版 1200A チョッパIGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 1700V F版 1600A チョッパIGBTモジュールを公開しました。

IGBT : ステータスリストを更新しました。

IGBT : 技術資料を1件追加しました。

2015年5月15日

高耐圧IGBT用 次世代標準パッケージ、Next High Power Density Dual - nHPD2 の情報を更新しました。

2014年

2014年9月19日

高耐圧IGBT用 次世代標準パッケージ、Next High Power Density Dual - nHPD2 を公開しました。

2014年6月1日

2014年度版環境方針を掲載しました。

2013年

2013年10月1日

2013年10月1日より、株式会社日立製作所のパワー半導体事業と日立原町電子工業株式会社は統合し、新たに株式会社日立パワーデバイスとしてスタートしました。