株式会社日立パワーデバイス

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Hitachi

株式会社日立パワーデバイス

第26号
『IGBTのゲート電圧波形について(3)』
今回はエミッタ共通インダクタンスLeeとモジュール内部ゲート抵抗rgの影響によるゲート電圧波形観測例についてご紹介致します。
第25号
『IGBTのゲート電圧波形について(2)』
今回は主電源電圧が印加されていないモードでのIGBTのスイッチング時におけるゲート波形及びモジュール内部構造によるゲート電圧波形への影響。
第24号
『IGBTのゲート電圧波形について』
ゲート電圧に現れるいくつかの挙動について紹介。
今回は通常電圧印加モードでのIGBTのスイッチングにおけるゲート電圧波形の紹介。
第22号
『高耐圧ICのドライブ方法』
高耐圧ICの上アームのドライブ方法
(ブートストラップとチャージポンプ回路について説明しています。)
第21号
『モータドライブ用日立高耐圧ICの応用』
家電用モータの可変速制御と日立高耐圧ICの応用例を説明しています。
第20号
『日立高耐圧ICの概要』
日立高耐圧ICの特長について説明しています。
第19号
『IGBTモジュールの取扱い方法(2)』
端子の取扱方法などについて説明しています。
第18号
『IGBTモジュールの取扱い方法(1)』
冷却フィンへの取付方法について説明しています。
第17号
『IGBTの並列接続(2)』
IGBTの主回路配線について説明 しています。
第16号
『IGBTの並列接続(1)』
IGBTの並列接続で使用時の注意事項等について説明
第15号
『整流回路定数表』
整流回路の定数類について説明
第13号
『IGBT素子でのデットタイム(4)』
デットタイムの検証例
第12号
『IGBT素子でのデットタイム(3)』
スイッチング遅延時間へのコレクタ電流、接合温度の影響を説明
第11号
『IGBT素子でのデットタイム(2)』
IGBTのスイッチング波形とスイッチング遅延時間を計算式で説明
第10号
『IGBT素子でのデットタイム(1)』
ロジック上でのデットタイムとIGBT素子でのデットタイムの関係について説明
第9号
『ダイオードの逆回復時のリンギング現象』
IGBTとの組み合わせ等、狭幅小電流時に起きやすいリンギング現象について説明
第8号
『ダイオードのサージ電圧発生メカニズム』
素子逆回復時のサージ電圧発生過程を計算式で説明
第7号
『IGBTのスナバ回路』
IGBT電流クラス毎のスナバ回路定数の選定法
『ダイオードのサージ電圧発生メカニズム』
整流回路でのスイッチ開閉に伴うサージ電圧の発生メカニズム
第6号
『IGBTのスナバ回路』
スナバ回路の動作責務を波形により説明
第3号
『ダイオードの選定方法』
一般整流回路での素子の選定手順を説明
第2号
『IGBTの損失計算方法』
インバータ回路でのF.W.Dまで考慮した一般的な損失計算方法を説明
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