株式会社日立パワーデバイス

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Hitachi

株式会社日立パワーデバイス

IGBT

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
IGBT Dual Side-Gate HiGT Breaking Through the Limitation of IGBT Loss Reduction T.Miyoshi 2017/05 PCIM Europe 2017 IGBTの低損失限界を超えたデュアルサイドゲートHiGT  
A Novel Hybrid Power Module with Dual Side-Gate HiGT and SiC-SBD Y.Takeuchi 2017/05 ISPSD 2017 デュアルサイドゲートHiGTとSiC-SBDを搭載したハイブリッドモジュール  
低損失・低ノイズIGBTサイドゲートHiGT   2017/01 日立評論 2017 Vol.99 No.1 日立技術の展望 特別号 低損失・低dv/dtノイズなサイドゲートIGBT (G2版)  
Side Gate HiGT with Low dv/dt Noise and Low Loss M.Shiraishi 2016/06 ISPSD 2017 低損失・低dv/dtノイズなサイドゲートIGBT (G2版)  
High Voltage Module with Low Internal Inductance for Next Chip Generation - Next High Power Density Dual (nHPD2) D. Kawase 2015/05 PCIM Europe 2015 nHPD2モジュール  
New 4.5kV IGBT Module with Low Power Loss and High Current Ratings T. Matsumoto 2015/05 PCIM Europe 2015    
New 1800A/3.3kV IGBT Module Using Advanced Trench HiGT Technoligy and Module Design Optimization T. Kushima 2014/05 PCIM Europe 2014    
Novel 3.3-kV Advanced Trench HiGT with Low Loss and Low dv/dt Noise Y.Toyota 2013/05 ISPSD 2013 低損失・低dv/dtノイズな3.3kVトレンチIGBT (F版)  
1.7kV Trench IGBT with Deep and Separate Floating p-Layer Designed for Low Loss, Low EMI Noise, and High Reliability S.Watanabe 2011/05 ISPSD 2011 深いフローティングp層を有する1.7kVトレンチIGBT(F版)  

SiC

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
SiC SiCパワーデバイスの高信頼ターミネーション技術 小野瀬 秀勝 2016/03 電気学会 電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 SiCデバイスの設計技術、目的は高信頼化  
Charge Distribution in Termination Area of 4H-SiC Diodes Analyzed by Measuring Depeletion-layer Capacitance (MDC) H. Matsushima 2015/09 SSDM 空乏容量変化測定法によるSiCパワーデバイスターミネーション領域の蓄積電荷分布測定  

SiC-MOS

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
SiC-MOS Switching Reliability of SiC-MOSFETs Containing Expanded Stacking Faults R. Fujita 2017/09 ICSCRM 積層欠陥を含むSiC MOSFETのスイッチング動作信頼性評価  
Channel Properties of SiC Trench-Etched Double-Diffused MOS (TED MOS) N. Tega 2016/02 IEEE Transactions on Electron Devices 新規SiC トレンチMOSFET TEDMOSの提案  
Novel Trench-etched Double-diffused SiC MOS (Ted MOS) to overcome tradeoff between RonA and Qgd N. Tega 2015/05 ISPSD 2015 新規SiC トレンチMOSFET TEDMOSの提案  
Full-SiC 3.3kV/450A low inductance module; nHPD2 with smooth switching T. Ishigaki 2015/05 PCIM Europe 2015 nHPD2搭載フルSiCモジュール  

SiC-SBD

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
SiC-SBD SiC-SBDを搭載した3.3kVハイブリッドモジュール 小川 和俊 2012/03 電気学会論文誌D(産業応用部門誌) 3kV級ハイブリッドモジュール、目的は省エネ  
Traction inverter that applies hybrid module using 3-kV SiC-SBDs K. Ishikawa 2010/06 IPEC 2010 3kVハイブリッドインバータ、目的は省エネと小型化 論文は、The 2010 International Power Electronics Conference - ECCE ASIA - (2010)

焼結銅

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
焼結銅 High Power Density Side-Gate HiGT Modules with Sintered Cu Having Superior High-Temperature Reliability to Sintered Ag T.Furukawa 2017/05 ISPSD 2017 焼結Cu接合を適用したサイドゲートHiGT搭載nHPD2  
Highly Reliable and Lead-Free High Power IGBT Modules Using Novel Copper Sintering Die attachment A.Konno 2016/05 PCIM Europe 2016 焼結銅接合によるモジュールの熱疲労評価等  
New Bonding Technique Using Copper Oxide Materials T.Morita 2014/03 Materials Transactions 焼結銅の接合メカニズムの解析  

信頼性

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
信頼性 Improvement of Power Cycling Reliability of Sn-Cu Based Solder T.Miyazaki 2015/07 IMAPS
International Microelectronics Assembly and Packaging Society
高パワーサイクル耐量を持つSn系はんだの開発。  
Study of Heat Transfer Measurement Method of Water-cooled Heatsink K.Horiuchi 2015/06 HTSJ ヒートシンクの性能測定 講演
直冷モジュールの高精度熱抵抗測定技術 K.Horiuchi 2015/05 JMA 直接水冷パワーモジュールの冷却性能測定 講演
Fatigue life evaluation of aluminum bonding wire in silicone gel under random vibration testing K.Sasaki 2013/09 Microelectronics Reliability ゲルの粘弾性特性を考慮したゲル中ワイヤの疲労寿命予測技術 寄稿
Volume 53, Issue 9-11, 2013, pp1766-1770
Effect of Heat Generation on Fatigue-Crack Propagation of Solder in Power Devices S.Hiramitsu 2011/07 ASME InterPACK パワーモジュールのチップ発熱を考慮したき裂進展解析技術 講演
IPACK2011-52247, pp. 345-350
Small size, low thermal resistance and high reliability packaging technologies of IGBT module for wind power applications K.Sasaki 2010/05 PCIM Europe 2010 小型低熱抵抗で高信頼な風力発電用パワーモジュールの製品PRと実装技術紹介 講演

直接水冷

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
直接水冷 Advanced Direct-water-cool Power Module having Pinfin Heatsink with Low Pressure Drop and High Heat Transfer K.Horiuchi 2013/05 ISPSD 2013 ピンフィンのヒートシンクを有する直接水冷モジュール  

高耐圧IC

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
高耐圧IC Low On-Resistance High Voltage Thin Layer SOI LDMOS Transistors with Stepped Field Plates K.Hara 2017/05 ISPSD 2017 薄型SOIを用いた低オン抵抗LDMOS
A New Conpact, Low On Resistace and High Off Isolation High Voltage Analog Switch IC Without Using High Voltage Power Supplies for Ultrasound Imaging System F. Yamashita 2016/06 ISPSD 2016 超音波診断装置向け高圧電源レス高耐圧アナログスイッチIC
600V Single Chip Inverter IC with New SOI Technology K.Hara 2014/06 ISPSD 2014 SOIを用いた600V 1チップインバータIC