株式会社日立パワーデバイス

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Hitachi

株式会社日立パワーデバイス

IGBT

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
IGBT xEVに対応する高温高出力密度パワー半導体モジュール 安井 感 2020/08 工業材料2020年9月号 サイドゲートIGBTとSnCu系はんだを用いたxEV向けパワーモジュール
MBB500TX7B
 
New 6.5kV 1000A IGBT Module with Side Gate HiGT H. Koguchi 2018/05 PCIM
Europe2018
6.5kV/1000AサイドゲートIGBTモジュール  
An Innovative Silicon Power Device (i-Si)
through Time and Space Control of a Stored Carrier (TASC)
M. Mori 2018/05 ISPSD2018 デュアルサイドゲートHiGTとMOS制御ダイオードによる6.5kV低損失Siパワーデバイス  
Dual Side-Gate HiGT Breaking Through the Limitation of IGBT Loss Reduction T.Miyoshi 2017/05 PCIM Europe 2017 IGBTの低損失限界を超えたデュアルサイドゲートHiGT  
A Novel Hybrid Power Module with Dual Side-Gate HiGT and SiC-SBD Y.Takeuchi 2017/05 ISPSD 2017 デュアルサイドゲートHiGTとSiC-SBDを搭載したハイブリッドモジュール  
低損失・低ノイズIGBTサイドゲートHiGT   2017/01 日立評論 2017 Vol.99 No.1 日立技術の展望 特別号 低損失・低dv/dtノイズなサイドゲートIGBT (G2版)  
Side Gate HiGT with Low dv/dt Noise and Low Loss M.Shiraishi 2016/06 ISPSD 2017 低損失・低dv/dtノイズなサイドゲートIGBT (G2版)  
High Voltage Module with Low Internal Inductance for Next Chip Generation - Next High Power Density Dual (nHPD2) D. Kawase 2015/05 PCIM Europe 2015 nHPD2モジュール  
New 4.5kV IGBT Module with Low Power Loss and High Current Ratings T. Matsumoto 2015/05 PCIM Europe 2015    
New 1800A/3.3kV IGBT Module Using Advanced Trench HiGT Technoligy and Module Design Optimization T. Kushima 2014/05 PCIM Europe 2014    
Novel 3.3-kV Advanced Trench HiGT with Low Loss and Low dv/dt Noise Y.Toyota 2013/05 ISPSD 2013 低損失・低dv/dtノイズな3.3kVトレンチIGBT (F版)  
1.7kV Trench IGBT with Deep and Separate Floating p-Layer Designed for Low Loss, Low EMI Noise, and High Reliability S.Watanabe 2011/05 ISPSD 2011 深いフローティングp層を有する1.7kVトレンチIGBT(F版)  

SiC

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
SiC A edge termination with enhanced field-limiting rings insensitive to surface charge for high voltage SiC power devices T. Hirao 2020/03 IEEE Transactions on Electron Devices 高耐圧SiC向けFLR型ターミネーション  
日立パワー半導体デバイスの低損失化技術 景山 寛 2019/01 技術雑誌スマートグリッド2019年1月号 DiodeレスSiCモジュールとデュアルサイドゲートHiGTの低損失化技術  
SiCパワーデバイスの高信頼ターミネーション技術 小野瀬 秀勝 2016/03 電気学会 電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 SiCデバイスの設計技術、目的は高信頼化  
Charge Distribution in Termination Area of 4H-SiC Diodes Analyzed by Measuring Depeletion-layer Capacitance (MDC) H. Matsushima 2015/09 SSDM 空乏容量変化測定法によるSiCパワーデバイスターミネーション領域の蓄積電荷分布測定  

SiC-MOS

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
SiC-MOS 焼結銅接合技術を用いた3.3kV/1000A高電力密度SiCパワーモジュール - 2020/01 日立評論2020 vol.120 No.1 日立技術の展望特別号 焼結銅接合適用3.3kV/1000A 2in1フルSiCパワー半導体モジュール  
鉄道インバータ向け高温対応SiCモジュール - 2020/01 日立評論2020 vol.120 No.1 日立技術の展望特別号 SiC適用インバータに対応した高温動作を可能にする焼結銅接合技術  
Development of 3.3kV High Power Density Full-SiC Power Modules with Sintered Copper Die Attach Technology K. Yasui 2019/10 ISAPP2019 燒結銅接合3.3kVフルSiCパワーモジュール  
Diode-less SiC Power Module With Countermeasures Against Bipolar Degradation Achieving Ultrahigh Power Density T. Ishigaki 2019/09 IEEE Transactions on Electron Devices 通電劣化対策によりダイオードレス化した高密度3.3kVフルSiCパワーモジュール  
A 3.3 kV 1000 A High Power Density SiC Power Module with Sintered Copper Die Attach Technology K. Yasui 2019/05 PCIM Europe2019 世界最高クラスの定格出力密度3.3kV/1000AフルSiCパワー半導体モジュール  
Analysis of degradation phenomena in bipolar degradation screening process for SiC-MOSFETs T. Ishigaki 2019/05 ISPSD2019 SiC-MOSFETの通電劣化解析  
1.2-kV SiC trench-etched double-diffused MOS (TED-MOS) for electric vehicle T. Suto 2018/09 ECSCRM 1.2kV TED-MOS  
Fabrication and characterization of 3.3-kV SiC DMOSFET with self-aligned channels formed by tilted ion implantation T. Morikawa 2018/09 ECSCRM 3.3kV SiC-DMOSFET  
Impact of Interface Trap Density of SiC-MOSFET in High-Temperature Environment S. Sato 2018/09 ECSCRM SiC-MOSFET信頼性  
T. Ishigaki 2018/05 PCIM Europe2018 3.3kV/800A 高出力密度ダイオードレスフルSiCモジュール  
Robustness improvement of short-circuit capability by SiC trench-etched double-diffused MOS (TED MOS) N. Tega 2018/05 ISPSD2018 短絡耐量に優れるTED-MOS  
Improvement of Power Cycling Reliability of 3.3kV Full-SiC Power Modules with Sintered Copper Technology for Tj,max=175°C K. Yasui 2018/05 ISPSD2018 燒結銅接合によりパワーサイクル耐量を向上した3.3kVフルSiCパワーモジュール  
Evaluation of Gate Oxide Reliability in 3.3 kV 4HSiC DMOSFET with J-Ramp TDDB Methods M. Sagawa 2018/05 ISPSD2018 J-Ramp TDDB法による3.3kV SiC-MOSFETのゲート信頼性評価  
Analysis of Short-Circuit Break-Down Point in
3.3 kV SiC-MOSFETs
K. Tani 2018/05 ISPSD2018 3.3kV SiC-MOSFETの短絡破壊解析  
Switching Reliability of SiC-MOSFETs Containing Expanded Stacking Faults R. Fujita 2017/09 ICSCRM 積層欠陥を含むSiC MOSFETのスイッチング動作信頼性評価  
Channel Properties of SiC Trench-Etched Double-Diffused MOS (TED MOS) N. Tega 2016/02 IEEE Transactions on Electron Devices 新規SiC トレンチMOSFET TEDMOSの提案  
Novel Trench-etched Double-diffused SiC MOS (Ted MOS) to overcome tradeoff between RonA and Qgd N. Tega 2015/05 ISPSD 2015 新規SiC トレンチMOSFET TEDMOSの提案  
Full-SiC 3.3kV/450A low inductance module; nHPD2 with smooth switching T. Ishigaki 2015/05 PCIM Europe 2015 nHPD2搭載フルSiCモジュール  
*1
The first publication of the papers was at PCIM Europe Conference 2018.

SiC-SBD

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
SiC-SBD SiC-SBDを搭載した3.3kVハイブリッドモジュール 小川 和俊 2012/03 電気学会論文誌D(産業応用部門誌) 3kV級ハイブリッドモジュール、目的は省エネ  
Traction inverter that applies hybrid module using 3-kV SiC-SBDs K. Ishikawa 2010/06 IPEC 2010 3kVハイブリッドインバータ、目的は省エネと小型化 論文は、The 2010 International Power Electronics Conference - ECCE ASIA - (2010)

焼結銅

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
焼結銅 High Power Density Side-Gate HiGT Modules with Sintered Cu Having Superior High-Temperature Reliability to Sintered Ag T.Furukawa 2017/05 ISPSD 2017 焼結Cu接合を適用したサイドゲートHiGT搭載nHPD2  
Highly Reliable and Lead-Free High Power IGBT Modules Using Novel Copper Sintering Die attachment A.Konno 2016/05 PCIM Europe 2016 焼結銅接合によるモジュールの熱疲労評価等  
New Bonding Technique Using Copper Oxide Materials T.Morita 2014/03 Materials Transactions 焼結銅の接合メカニズムの解析  

信頼性

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
信頼性 Improvement of power cycling life in actual operating condition of power semiconductor module by Sn-based solder die bon
ding
Y. Harubeppu 2020/05 PCIM Europe 2020 Sn系はんだによるパワーサイクル耐量の向上  
はんだ縦クラック現象のメカニズム解明 春別府 佑 2019/11 日本機械学会M&M2019材料力学カンファレンス Sn系はんだの縦クラックメカニズム解明  
はんだ接合部におけるパワーサイクル信頼性と劣化モード 宮崎高彰 2019/01 MATE2019 パワーサイクル耐量に優れるSnCuSbはんだ  
焼結金属接合の信頼性評価 紺野 哲豊 2018/09 MES2018 焼結銀の3倍の寿命を得る焼結銅接合の温度サイクル評価  
Improvement of Power Cycling Reliability of Sn-Cu Based Solder T.Miyazaki 2015/07 IMAPS
International Microelectronics Assembly and Packaging Society
高パワーサイクル耐量を持つSn系はんだの開発。  
Study of Heat Transfer Measurement Method of Water-cooled Heatsink K.Horiuchi 2015/06 HTSJ ヒートシンクの性能測定 講演
直冷モジュールの高精度熱抵抗測定技術 K.Horiuchi 2015/05 JMA 直接水冷パワーモジュールの冷却性能測定 講演
Fatigue life evaluation of aluminum bonding wire in silicone gel under random vibration testing K.Sasaki 2013/09 Microelectronics Reliability ゲルの粘弾性特性を考慮したゲル中ワイヤの疲労寿命予測技術 寄稿
Volume 53, Issue 9-11, 2013, pp1766-1770
Effect of Heat Generation on Fatigue-Crack Propagation of Solder in Power Devices S.Hiramitsu 2011/07 ASME InterPACK パワーモジュールのチップ発熱を考慮したき裂進展解析技術 講演
IPACK2011-52247, pp. 345-350
Small size, low thermal resistance and high reliability packaging technologies of IGBT module for wind power applications K.Sasaki 2010/05 PCIM Europe 2010 小型低熱抵抗で高信頼な風力発電用パワーモジュールの製品PRと実装技術紹介 講演

直接水冷

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
直接水冷 Advanced Direct-water-cool Power Module having Pinfin Heatsink with Low Pressure Drop and High Heat Transfer K.Horiuchi 2013/05 ISPSD 2013 ピンフィンのヒートシンクを有する直接水冷モジュール  

高耐圧IC

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
高耐圧IC Low On-Resistance High Voltage Thin Layer SOI LDMOS Transistors with Stepped Field Plates K.Hara 2017/05 ISPSD 2017 薄型SOIを用いた低オン抵抗LDMOS
A New Conpact, Low On Resistace and High Off Isolation High Voltage Analog Switch IC Without Using High Voltage Power Supplies for Ultrasound Imaging System F. Yamashita 2016/06 ISPSD 2016 超音波診断装置向け高圧電源レス高耐圧アナログスイッチIC
600V Single Chip Inverter IC with New SOI Technology K.Hara 2014/06 ISPSD 2014 SOIを用いた600V 1チップインバータIC

オルタネータ用ダイオード

技術論文 文献名 筆頭執筆者 投稿時期 投稿先 概要(対象技術と目的) 備考
オルタネータ用ダイオード Super Low Loss Diode (SLLD) for Automotive Alternator Generators Y. Senzaki 2020/05 PCIM Europe 2020 オルタネーター向け低損失ダイオードSLLD