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Hitachi

株式会社日立パワーデバイス

  • パワーエレクトロニクスの世界に 新しい時代をひらく日立パワーデバイス
  • 世の中をもっと快適で便利にするために… 先進のパワーデバイスでお手伝いします

高耐圧IC:独自の誘電体分離技術により高信頼性を実現するインテリジェントパワーICについてご紹介致します

IGBT:インバータ高効率、静音化を可能にするIGBTについてご紹介致します

ダイオード:一般民生・産業機器から自動車.電装用途のニーズに対応したパワーダイオードについてご紹介致します

MEMSファンドリーサービス:今、話題のMEMS!ICPによる高精度シリコン加工でおこたえします

セラミック気密端子:電子部品から原子力部品まで、優れた性能を発揮するセラミックス応用製品

お知らせ

2017年05月29日

セラミック気密端子事業の株式会社MARUWAへの譲渡についてお知らせします。詳細はこちら

2017年05月15日

IGBT : 新製品 nHPD2 1.7kV 1000A 2in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 4.5kV 1000A, 1500A 1in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 4.5kV 400A 2in1 ダイオードモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 6.5kV 250A 2in1 ダイオードモジュールを公開しました。

2017年04月25日

2017年度版環境方針を掲載しました。

2016年5月18日

IGBT : 新製品 nHPD2 1.7kV 900A 2in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD2 1.7kV 900A 2in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD2 3.3kV 450A 2in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 nHPD2 3.3kV 450A 2in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1200A 1in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1800A 1in1 SiC モジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1800A 1in1F版高絶縁パッケージ IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 3.3kV 1200A 2in1F版高絶縁パッケージ ダイオードモジュールを公開しました。

IGBT : 新製品 650V 600A 6in1EV用直接水冷IGBTモジュールを公開しました。

2016年4月20日

IGBT : 新製品 nHPD2 STEPファイルを公開しました。

IGBT : 新製品 4500V F版 1500A 1in1 IGBTモジュールを公開しました。

IGBT : 技術資料を1件追加しました。

更新履歴

2016年11月30日

企業情報(営業所)を更新しました。 NEW:最新