| 技術論文 | 文献名 | 筆頭執筆者 | 投稿時期 | 投稿先 | 概要（対象技術と目的） | 備考 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IGBT | xEVに対応する高温高出力密度パワー半導体モジュール | 安井 感 | 2020/08 | 工業材料2020年9月号 | サイドゲートIGBTとSnCu系はんだを用いたxEV向けパワーモジュール MBB500TX7B |
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| New 6.5kV 1000A IGBT Module with Side Gate HiGT | H. Koguchi | 2018/05 | PCIM Europe2018 |
6.5kV/1000AサイドゲートIGBTモジュール | ||
| An Innovative Silicon Power Device (i-Si) through Time and Space Control of a Stored Carrier (TASC) |
M. Mori | 2018/05 | ISPSD2018 | デュアルサイドゲートHiGTとMOS制御ダイオードによる6.5kV低損失Siパワーデバイス | ||
| Dual Side-Gate HiGT Breaking Through the Limitation of IGBT Loss Reduction | T.Miyoshi | 2017/05 | PCIM Europe 2017 | IGBTの低損失限界を超えたデュアルサイドゲートHiGT | ||
| A Novel Hybrid Power Module with Dual Side-Gate HiGT and SiC-SBD | Y.Takeuchi | 2017/05 | ISPSD 2017 | デュアルサイドゲートHiGTとSiC-SBDを搭載したハイブリッドモジュール | ||
| 低損失・低ノイズIGBTサイドゲートHiGT | 2017/01 | 日立評論 2017 Vol.99 No.1 日立技術の展望 特別号 | 低損失・低dv/dtノイズなサイドゲートIGBT (G2版） | |||
| Side Gate HiGT with Low dv/dt Noise and Low Loss | M.Shiraishi | 2016/06 | ISPSD 2017 | 低損失・低dv/dtノイズなサイドゲートIGBT (G2版） | ||
| High Voltage Module with Low Internal Inductance for Next Chip Generation - Next High Power Density Dual (nHPD2) | D. Kawase | 2015/05 | PCIM Europe 2015 | nHPD2モジュール | ||
| New 4.5kV IGBT Module with Low Power Loss and High Current Ratings | T. Matsumoto | 2015/05 | PCIM Europe 2015 | |||
| New 1800A/3.3kV IGBT Module Using Advanced Trench HiGT Technoligy and Module Design Optimization | T. Kushima | 2014/05 | PCIM Europe 2014 | |||
| Novel 3.3-kV Advanced Trench HiGT with Low Loss and Low dv/dt Noise | Y.Toyota | 2013/05 | ISPSD 2013 | 低損失・低dv/dtノイズな3.3kVトレンチIGBT (F版） | ||
| 1.7kV Trench IGBT with Deep and Separate Floating p-Layer Designed for Low Loss, Low EMI Noise, and High Reliability | S.Watanabe | 2011/05 | ISPSD 2011 | 深いフローティングp層を有する1.7kVトレンチIGBT（F版） |
| 技術論文 | 文献名 | 筆頭執筆者 | 投稿時期 | 投稿先 | 概要（対象技術と目的） | 備考 |
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| SiC | A edge termination with enhanced field-limiting rings insensitive to surface charge for high voltage SiC power devices | T. Hirao | 2020/03 | IEEE Transactions on Electron Devices | 高耐圧SiC向けFLR型ターミネーション | |
| 日立パワー半導体デバイスの低損失化技術 | 景山 寛 | 2019/01 | 技術雑誌スマートグリッド2019年1月号 | DiodeレスSiCモジュールとデュアルサイドゲートHiGTの低損失化技術 | ||
| SiCパワーデバイスの高信頼ターミネーション技術 | 小野瀬 秀勝 | 2016/03 | 電気学会 電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 | SiCデバイスの設計技術、目的は高信頼化 | ||
| Charge Distribution in Termination Area of 4H-SiC Diodes Analyzed by Measuring Depeletion-layer Capacitance (MDC) | H. Matsushima | 2015/09 | SSDM | 空乏容量変化測定法によるSiCパワーデバイスターミネーション領域の蓄積電荷分布測定 |
| 技術論文 | 文献名 | 筆頭執筆者 | 投稿時期 | 投稿先 | 概要（対象技術と目的） | 備考 |
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| SiC-MOS | 焼結銅接合技術を用いた3.3kV/1000A高電力密度SiCパワーモジュール | - | 2020/01 | 日立評論2020 vol.120 No.1 日立技術の展望特別号 | 焼結銅接合適用3.3kV/1000A 2in1フルSiCパワー半導体モジュール | |
| 鉄道インバータ向け高温対応SiCモジュール | - | 2020/01 | 日立評論2020 vol.120 No.1 日立技術の展望特別号 | SiC適用インバータに対応した高温動作を可能にする焼結銅接合技術 | ||
| Development of 3.3kV High Power Density Full-SiC Power Modules with Sintered Copper Die Attach Technology | K. Yasui | 2019/10 | ISAPP2019 | 燒結銅接合3.3kVフルSiCパワーモジュール | ||
| Diode-less SiC Power Module With Countermeasures Against Bipolar Degradation Achieving Ultrahigh Power Density | T. Ishigaki | 2019/09 | IEEE Transactions on Electron Devices | 通電劣化対策によりダイオードレス化した高密度3.3kVフルSiCパワーモジュール | ||
| A 3.3 kV 1000 A High Power Density SiC Power Module with Sintered Copper Die Attach Technology | K. Yasui | 2019/05 | PCIM Europe2019 | 世界最高クラスの定格出力密度3.3kV/1000AフルSiCパワー半導体モジュール | ||
| Analysis of degradation phenomena in bipolar degradation screening process for SiC-MOSFETs | T. Ishigaki | 2019/05 | ISPSD2019 | SiC-MOSFETの通電劣化解析 | ||
| 1.2-kV SiC trench-etched double-diffused MOS (TED-MOS) for electric vehicle | T. Suto | 2018/09 | ECSCRM | 1.2kV TED-MOS | ||
| Fabrication and characterization of 3.3-kV SiC DMOSFET with self-aligned channels formed by tilted ion implantation | T. Morikawa | 2018/09 | ECSCRM | 3.3kV SiC-DMOSFET | ||
| Impact of Interface Trap Density of SiC-MOSFET in High-Temperature Environment | S. Sato | 2018/09 | ECSCRM | SiC-MOSFET信頼性 | ||
| T. Ishigaki | 2018/05 | PCIM Europe2018 | 3.3kV/800A 高出力密度ダイオードレスフルSiCモジュール | |||
| Robustness improvement of short-circuit capability by SiC trench-etched double-diffused MOS (TED MOS) | N. Tega | 2018/05 | ISPSD2018 | 短絡耐量に優れるTED-MOS | ||
| Improvement of Power Cycling Reliability of 3.3kV Full-SiC Power Modules with Sintered Copper Technology for Tj,max=175°C | K. Yasui | 2018/05 | ISPSD2018 | 燒結銅接合によりパワーサイクル耐量を向上した3.3kVフルSiCパワーモジュール | ||
| Evaluation of Gate Oxide Reliability in 3.3 kV 4HSiC DMOSFET with J-Ramp TDDB Methods | M. Sagawa | 2018/05 | ISPSD2018 | J-Ramp TDDB法による3.3kV SiC-MOSFETのゲート信頼性評価 | ||
| Analysis of Short-Circuit Break-Down Point in 3.3 kV SiC-MOSFETs |
K. Tani | 2018/05 | ISPSD2018 | 3.3kV SiC-MOSFETの短絡破壊解析 | ||
| Switching Reliability of SiC-MOSFETs Containing Expanded Stacking Faults | R. Fujita | 2017/09 | ICSCRM | 積層欠陥を含むSiC MOSFETのスイッチング動作信頼性評価 | ||
| Channel Properties of SiC Trench-Etched Double-Diffused MOS (TED MOS) | N. Tega | 2016/02 | IEEE Transactions on Electron Devices | 新規SiC トレンチMOSFET TEDMOSの提案 | ||
| Novel Trench-etched Double-diffused SiC MOS (Ted MOS) to overcome tradeoff between RonA and Qgd | N. Tega | 2015/05 | ISPSD 2015 | 新規SiC トレンチMOSFET TEDMOSの提案 | ||
| Full-SiC 3.3kV/450A low inductance module; nHPD2 with smooth switching | T. Ishigaki | 2015/05 | PCIM Europe 2015 | nHPD2搭載フルSiCモジュール |
| 技術論文 | 文献名 | 筆頭執筆者 | 投稿時期 | 投稿先 | 概要（対象技術と目的） | 備考 |
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| SiC-SBD | SiC-SBDを搭載した3.3kVハイブリッドモジュール | 小川 和俊 | 2012/03 | 電気学会論文誌D（産業応用部門誌） | 3kV級ハイブリッドモジュール、目的は省エネ | |
| Traction inverter that applies hybrid module using 3-kV SiC-SBDs | K. Ishikawa | 2010/06 | IPEC 2010 | 3kVハイブリッドインバータ、目的は省エネと小型化 | 論文は、The 2010 International Power Electronics Conference - ECCE ASIA - (2010) |
| 技術論文 | 文献名 | 筆頭執筆者 | 投稿時期 | 投稿先 | 概要（対象技術と目的） | 備考 |
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| 焼結銅 | High Power Density Side-Gate HiGT Modules with Sintered Cu Having Superior High-Temperature Reliability to Sintered Ag | T.Furukawa | 2017/05 | ISPSD 2017 | 焼結Cu接合を適用したサイドゲートHiGT搭載nHPD2 | |
| Highly Reliable and Lead-Free High Power IGBT Modules Using Novel Copper Sintering Die attachment | A.Konno | 2016/05 | PCIM Europe 2016 | 焼結銅接合によるモジュールの熱疲労評価等 | ||
| New Bonding Technique Using Copper Oxide Materials | T.Morita | 2014/03 | Materials Transactions | 焼結銅の接合メカニズムの解析 |
| 技術論文 | 文献名 | 筆頭執筆者 | 投稿時期 | 投稿先 | 概要（対象技術と目的） | 備考 |
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| 信頼性 | Improvement of power cycling life in actual operating condition of power semiconductor module by Sn-based solder die bon ding |
Y. Harubeppu | 2020/05 | PCIM Europe 2020 | Sn系はんだによるパワーサイクル耐量の向上 | |
| はんだ縦クラック現象のメカニズム解明 | 春別府 佑 | 2019/11 | 日本機械学会M&M2019材料力学カンファレンス | Sn系はんだの縦クラックメカニズム解明 | ||
| はんだ接合部におけるパワーサイクル信頼性と劣化モード | 宮崎高彰 | 2019/01 | MATE2019 | パワーサイクル耐量に優れるSnCuSbはんだ | ||
| 焼結金属接合の信頼性評価 | 紺野 哲豊 | 2018/09 | MES2018 | 焼結銀の3倍の寿命を得る焼結銅接合の温度サイクル評価 | ||
| Improvement of Power Cycling Reliability of Sn-Cu Based Solder | T.Miyazaki | 2015/07 | IMAPS International Microelectronics Assembly and Packaging Society |
高パワーサイクル耐量を持つSn系はんだの開発。 | ||
| Study of Heat Transfer Measurement Method of Water-cooled Heatsink | K.Horiuchi | 2015/06 | HTSJ | ヒートシンクの性能測定 | 講演 | |
| 直冷モジュールの高精度熱抵抗測定技術 | K.Horiuchi | 2015/05 | JMA | 直接水冷パワーモジュールの冷却性能測定 | 講演 | |
| Fatigue life evaluation of aluminum bonding wire in silicone gel under random vibration testing | K.Sasaki | 2013/09 | Microelectronics Reliability | ゲルの粘弾性特性を考慮したゲル中ワイヤの疲労寿命予測技術 | 寄稿 Volume 53, Issue 9-11, 2013, pp1766-1770 |
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| Effect of Heat Generation on Fatigue-Crack Propagation of Solder in Power Devices | S.Hiramitsu | 2011/07 | ASME InterPACK | パワーモジュールのチップ発熱を考慮したき裂進展解析技術 | 講演 IPACK2011-52247, pp. 345-350 |
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| Small size, low thermal resistance and high reliability packaging technologies of IGBT module for wind power applications | K.Sasaki | 2010/05 | PCIM Europe 2010 | 小型低熱抵抗で高信頼な風力発電用パワーモジュールの製品PRと実装技術紹介 | 講演 |
| 技術論文 | 文献名 | 筆頭執筆者 | 投稿時期 | 投稿先 | 概要（対象技術と目的） | 備考 |
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| 直接水冷 | Advanced Direct-water-cool Power Module having Pinfin Heatsink with Low Pressure Drop and High Heat Transfer | K.Horiuchi | 2013/05 | ISPSD 2013 | ピンフィンのヒートシンクを有する直接水冷モジュール |
| 技術論文 | 文献名 | 筆頭執筆者 | 投稿時期 | 投稿先 | 概要（対象技術と目的） | 備考 |
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| 高耐圧IC | Low On-Resistance High Voltage Thin Layer SOI LDMOS Transistors with Stepped Field Plates | K.Hara | 2017/05 | ISPSD 2017 | 薄型SOIを用いた低オン抵抗LDMOS | |
| A New Conpact, Low On Resistace and High Off Isolation High Voltage Analog Switch IC Without Using High Voltage Power Supplies for Ultrasound Imaging System | F. Yamashita | 2016/06 | ISPSD 2016 | 超音波診断装置向け高圧電源レス高耐圧アナログスイッチIC | ||
| 600V Single Chip Inverter IC with New SOI Technology | K.Hara | 2014/06 | ISPSD 2014 | SOIを用いた600V 1チップインバータIC |
| 技術論文 | 文献名 | 筆頭執筆者 | 投稿時期 | 投稿先 | 概要（対象技術と目的） | 備考 |
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| オルタネータ用ダイオード | Super Low Loss Diode (SLLD) for Automotive Alternator Generators | Y. Senzaki | 2020/05 | PCIM Europe 2020 | オルタネーター向け低損失ダイオードSLLD |
